실리콘에서의 고충실도 단일 스핀 셔틀링

동위원소 정제된 Si/SiGe 이종 구조에서 이중 톤 이동파 포텐셜을 사용한 컨베이어 모드 스핀 셔틀링은 버킷-브리게이드 셔틀링보다 스핀 결맞음이 10배 더 우수함을 보여주며, 200ns 이내에 10μm 이상 거리에서 99.5%의 충실도로 스핀 셔틀링을 달성합니다.