Ферроупругое написание кристаллических направлений в оксидных тонких пленках

Местное напряжение сдвига от атомного силового микроскопа может контролировать кристаллические направления в тонких оксидных пленках. Этот подход позволяет манипулировать локальной магнитной анизотропией в ферромагнитных металлах.