Была достигнута монолитная 3D-интеграция дополнительных полевых транзисторов WSe2 с полевыми транзисторами n-типа в 1-м уровне и полевыми транзисторами p-типа во 2-м уровне. Плотное соединение осуществляется с шагом менее 1 мкм, облегчая 3D-инверторы, а также функционал логики NAND и NOR.
nature.com
Monolithic three-dimensional integration of complementary two-dimensional field-effect transistors
Create attached notes ...
