Рост ромбоэдрически-сложенных вертикальных гетероструктур из монокристаллов WS2/MoS2

Ромбоэдрически сложенные структуры, образованные двумерными полупроводниками, характеризуются появлением новых физических свойств, но их рост снизу вверх остается сложной задачей. В данной работе авторы сообщают о методе химического осаждения из паровой фазы для выращивания кристаллов WS2/MoS2 с ромбоэдрической укладкой размером в сантиметры с сегнетоэлектрическими свойствами.