Структурирование затвора в полевых транзисторах из n-типа двуслойного MoS2 для сверхвысокой плотности тока

Сообщается о двухзатворной структуре в полевых транзисторах (FET) на основе двухслойного MoS2, обеспечивающей высокую плотность носителей за счет компенсации краевого поля, что открывает перспективы для логических приложений 2D полупроводников.