Теоретические пределы легирования электронами и дырками в однослойном графене по расчетам методом функционала плотности

Хим. Коммун., 2025, Принятый манускрипт DOI: 10.1039/D5CC02642C, Сообщение Давид Адам Чишевски, Войцех Грохала Расчеты по теории функционала плотности предполагают выраженную асимметрию легирования дырками и электронами в однослоном графене. Оказалось, что одиночный лист графена может поддерживать уровни легирования до 0,1 дырок...