Учёные построили транзистор, который может оставить кремний в пыли

"Уменьшение кремниевых транзисторов достигло физических пределов, но команда из Токийского университета переписывает правила. Они создали передовую транзистор с галлийдопированным оксидом индия и инновационной структурой "gate-all-around". Благодаря точному инженерному решению атомной структуры материала, новый прибор достигает выдающейся подвижности электронов и стабильности. Этот прорыв может стать топливом для более быстрых и надежных электронных устройств, которые будут питать будущие технологии от больших данных до систем искусственного интеллекта."