报告：三星代工 4 纳米芯片良率突破 80%

来自韩国的一份新报告表明，三星代工在 4 纳米 FinFET 工艺量产方面已取得重要里程碑。据 SEDaily 报道，三星代工的 4 纳米工艺良率已超过 80%，标志着该工艺已正式进入成熟阶段。 三星代工工艺技术路线图 这一进展使三星能够直面竞争对手台积电，全力应对科技巨头对存储芯片的历史性高需求。同样生产 5 纳米和 7 纳米芯片的三星电子平泽校区，现已准备好向其 AI 业务供应 4 纳米芯片……