Wissenschaftler bauten einen Transistor, der Silizium in den Schatten stellen könnte

"Schrumpfende Siliziumtransistoren haben ihre Grenzen erreicht, aber ein Team der Universität Tokio schreibt die Regeln neu. Sie haben einen hochmodernen Transistor entwickelt, der Gallium-dotiertes Indiumoxid mit einer neuartigen "Gate-all-around"-Struktur verwendet. Durch die präzise Ingenieurleistung der atomaren Struktur des Materials erzielt das neue Gerät bemerkenswerte Elektronenbeweglichkeit und Stabilität. Dieser Durchbruch könnte zuverlässigere, schnellere Elektronik führen, die zukünftige Technologien von KI bis hin zu Big-Data-Systemen antreiben."