AlGaN/GaN 等离子体晶体中槽等离子体的异常反射相位
作者:A. R. Khisameeva, D. A. Khudaiberdiev, I. M. Moiseenko, P. A. Gusikhin, A. S. Astrakhantseva, A. Shuvaev, A. Pimenov, D. A. Svintsov, I. V. Kukushkin 和 V. M. Muravev
我们实验研究了基于 AlGaN/GaN 二维电子系统(2DES)的等离激元晶体中等离子体激发的太赫兹谱。虽然在此类结构中易于观察到具有线性色散的屏蔽等离激元模式,但局域于槽之间的未屏蔽模式…… [Phys. Rev. Lett. 137, 046901] 发表于 2026 年 7 月 20 日星期一