漏电流影响电子器件的工作性能与可靠性，但获取二维（2D）材料间漏电流的准确测量一直较为困难。本文精确量化了不同厚度的 hBN、MoS2 和 WS2 之间的漏电流，并将其与 SiO2 进行比较，这有助于预测基于二维材料的电子器件的性能与可靠性。