范德华半导体微腔中的谷工程朗道极化激元 笔记

范德华半导体微腔中的谷工程朗道极化激元

作者:Xinyue Zhang, Hongming Zhang, Yaofeng Zhu, Hang Zhou, Song Luo, Long Xu, Xin Li, Yuquan Zhou, Yan Liu, Zheng Lv, Yuxin Duan, Zhao Xu, Haodong Cheng, Long Zhang 和 Zhanghai Chen 将 WSe2 单层集成到光学微腔中,产生了谷度工程的朗道极化子,从而实现了光介导的谷度控制量子多体态。 [Phys. Rev. Lett. 137, 046904] 发表于 2026 年 7 月 24 日星期五
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