选择性模板化生长策略开启了以前无法获得的一类化学惰性低维（CI LD）界面，用于保护包晶体太阳能电池（PSCs）中的底层三维（3D）包晶体。1 平方厘米的三维/CI LD PSC 原型效率超过 25%，并表现出很高的工作稳定性和热稳定性。