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过渡金属吸附原子晶格在碳化硅中构建关联狄拉克费米子与平带
作者：Henri Menke, Niklas Enderlein, Roland Gillen, Yi-Ting Tseng, Michel Bockstedte, Janina Maultzsch, Giorgio Sangiovanni 和 Philipp Hansmann
我们提出了三种过渡金属吸附原子体系在碳化硅（SiC）表面上的应用，将其作为实现无质量狄拉克费米子及具有强电子关联的平带的通用平台。利用密度泛函理论结合约束随机相位近似和动力学平均场理论，我们…… [Phys. Rev. Lett. 136, 246503] 发表于 2026 年 6 月 18 日星期四
