${ν}_{tot}=4/3$ 分数拓扑绝缘子边的对称局部化 笔记

${ν}_{tot}=4/3$ 分数拓扑绝缘子边的对称局部化

作者:周扬之(Yang-Zhi Chou)和 Sankar Das Sarma 受近期扭曲 ${\mathrm{MoTe}}_{2}$ 实验的启发 [Wang 等人,扭曲 ${\mathrm{MoTe}}_{2}$ 中假想分数拓扑绝缘体的磁性特征,arXiv:2601.18508],我们发展了一种分数拓扑绝缘子的无序相互作用边缘理论,其填充因子为 ${\nu}_{\mathr… [Phys. Rev. Lett. 137, 036501] 发表于 2026 年 7 月 13 日星期一。