沟道长度（Lch）与接触长度（Lc）的同时缩尺仍是二维晶体管工业化面临的重要挑战。在此，作者报道了基于二维 MoS2 沟道、具有亚 10 nm Lch 和 Lc 的高性能垂直金属 - 半导体场效应晶体管的实现。